IGBT動/靜態測試係統

IGBT動/靜態測試係統

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體(ti) 管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體(ti) 器件,兼有（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）金氧半場效晶體(ti) 管的高輸入阻抗和電力晶體(ti) 管（GiantTransistor，GTR）的低導通壓降兩(liang) 方麵的優(you) 點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關(guan) 速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩(liang) 種器件的優(you) 點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於(yu) 直流電壓為(wei) 600V及以上的變流係統如交流電機、變頻器、開關(guan) 電源、照明電路、牽引傳(chuan) 動等領域。

IGBT（絕緣柵雙極型晶體(ti) 管）是電力控製和電力轉換的核心器件，是由BJT（雙極型晶體(ti) 管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體(ti) 器件，具有高輸入阻抗，低導通壓降，高速開關(guan) 特性和低導通狀態損耗等特點，非常適合高電壓和高電流的光伏逆變器、儲(chu) 能裝置和新能源汽車等電力電子應用