一文讀懂IGBT「用途、結構、優缺點、工作原理」

 在我們(men) 實際的應用當中流行和最常見的電子器件就是常見的雙極結晶體(ti) 管BJT和MOS管。雖然BJT和MOS管是流行最常見的元器件，但是在一些相對較高電流的應用場景中有時還是會(hui) 受到限製。這個(ge) 時候，我們(men) 的IGBT就派上用場了。那什麽(me) 是IGBT呢？IGBT的作用是什麽(me) 呢？IGBT的工作原理、優(you) 缺點又有哪些呢？這次我們(men) 來好好了解一下什麽(me) 是IGBT!

一：什麽(me) 是IGBT？

所謂IGBT 其實便是絕緣柵雙極晶體(ti) 管的一種簡稱，是一種三端半導體(ti) 開關(guan) 的器件，可用於(yu) 多種電子設備中的高效快速開關(guan) 的場景中。通常主要用於(yu) 放大器以及一些通過脈衝(chong) 寬度調製 (PWM) 切換/處理複雜的波形。

為(wei) 了方便理解，我們(men) 可以把IGBT看作我們(men) 很熟悉的BJT和MOS管的融合體(ti) 。所以，不難看出，IGBT具有BJT的輸入特性和MOS管的輸出特性。但是與(yu) BJT或MOS管相比，絕緣柵雙極型晶體(ti) 管IGBT的優(you) 勢便在於(yu) 它提供了一個(ge) 比標準雙極型晶體(ti) 管更大的功率增益，以及更高的工作電壓和更低的MOS管輸入損耗。所以，IGBT往往有著更好的工作特性。

就像上麵說的 IGBT 是 BJT 和 MOS管的融合集成體(ti) ，所以IGBT 的符號也代表相同。如下圖所示：可以看到輸入側(ce) 代表具有柵子的 MOS管，輸出側(ce) 代表具有集電極和發射極的 BJT。集電極和發射極是導通端子，柵極是控製開關(guan) 操作的控製端子。

IGBT的電路符號與(yu) 等效電路圖

二：IGBT內(nei) 部結構

為(wei) 了更好了解IGBT,下麵我們(men) 再來看看它的內(nei) 部結構：一般，IGBT 有三個(ge) 端子：集電極、發射極和柵極，他們(men) 都是附有金屬層。但是，柵子上的金屬材料具有二氧化矽層。IGBT結構其實就相當於(yu) 是一個(ge) 四層半導體(ti) 的器件。四層器件是通過組合 PNP 和 NPN 晶體(ti) 管來實現的，它們(men) 構成了 P-N-P-N 排列。如下圖所示，小編簡單繪製了一下IGBT的一個(ge) 內(nei) 部結構。

三：IGBT工作原理

現在我們(men) 來談談IGBT的一個(ge) 工作原理，其實很簡單，與(yu) 我們(men) 熟悉的 BJT 、MOS管類似：

IGBT 的工作原理其實是通過不斷激活和停用其柵子來開啟、關(guan) 閉實現的。

如果正輸入的電壓通過柵極，發射器就會(hui) 保持驅動電路開啟。另一方麵，如果 IGBT 的柵的電壓為(wei) 零或者為(wei) 負時，則就會(hui) 關(guan) 閉電路應用。

正如我們(men) 所了解的，由於(yu) IGBT 既可用作 BJT 又可用作 MOS管，因此它實現的放大量是其輸出信號和控製輸入信號之間的比率，這也是我們(men) 為(wei) 什麽(me) 在一些相對較高電流的應用場景中往往選用IGBT的一個(ge) 主要原因。

下麵我們(men) 詳細做一個(ge) 對比：相對於(yu) 傳(chuan) 統的 BJT，我們(men) 知道增益量與(yu) 輸出電流與(yu) 輸入電流的比率大致相同，我們(men) 可以將其稱為(wei) Beta 並表示為(wei) β。

對於(yu) MOS管，由於(yu) 沒有輸入電流，所以柵子是主通道承載電流的隔離。通常我們(men) 是通過將輸出電流變化除以輸入電壓變化來確定 IGBT 的增益。

小編繪製了一張圖，可以很好地解釋IGBT的工作原理，描述IGBT整個(ge) 器件工作範圍，如下圖所示：

    IGBT的優(you) 缺點

    既然IGBT作為(wei) 一個(ge) 兼有BJT和MOS管的整體(ti) ，所以往往它的優(you) 缺點其實也非常明顯，下麵我給大家羅列一下IGBT常見的優(you) 缺點。

    優(you) 點：

    1、具有更高的電壓和電流處理能力。

    2、高的輸入阻抗。

    3、可以使用非常低的電壓切換非常高的電流。

    4、電壓控製裝置，即它沒有輸入電流和低輸入損耗。

    5、柵極驅動電路簡單且便宜，降低了柵極驅動的要求

    6、通過施加正電壓可以很容易地打開它，通過施加零電壓或稍微負電壓可以很容易地關(guan) 閉它。

    7、具有非常低的導通電阻。

    8、具有高電流密度，使其能夠具有更小的芯片尺寸。

    9、具有比BJT和MOS管更高的功率增益。

    10、具有比BJT更高的開關(guan) 速度。

    11、可以使用低控製電壓切換高電流電平。

    12、雙極性質，增強了傳(chuan) 導性。

    13、安全可靠。

    缺點：

    1、開關(guan) 速度低於(yu) MOS管。

    2、因為(wei) 是單向的，在沒有附加電路的情況下無法處理AC波形。

    3、不能阻擋更高的反向電壓。

    4、比BJT和MOS管價(jia) 格更高。

    5、類似於(yu) 晶閘管的P-N-P-N結構，因此它存在鎖存問題。

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