igbt是什麽電子元件

igbt是什麽(me) 電子元件

igbt是絕緣柵雙極型晶體(ti) 管電子元件；igbt是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體(ti) 器件，並且兼有高輸入阻抗和低導通壓降兩(liang) 方麵的優(you) 點，igbt模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。

igbt是什麽電子元件

IGBT是絕緣柵雙極型晶體(ti) 管電子元件

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體(ti) 管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體(ti) 器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體(ti) 管的高輸入阻抗和電力晶體(ti) 管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩(liang) 方麵的優(you) 點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關(guan) 速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩(liang) 種器件的優(you) 點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於(yu) 直流電壓為(wei) 600V及以上的變流係統如交流電機、變頻器、開關(guan) 電源、照明電路、牽引傳(chuan) 動等領域。

IGBT模塊具有節能，安裝維修方便，散熱穩定等特點，當前市場上銷售的多為(wei) 此類模塊化產(chan) 品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊，隨著節能環保等理念的推進，此類產(chan) 品在市場上將越來越多見。

IGBT是能源變換與(yu) 傳(chuan) 輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU"，作為(wei) 國家戰略性新興(xing) 產(chan) 業(ye) ，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與(yu) 新能源裝備等領域應用極廣。

結構如下：

左邊所示為(wei) 一個(ge) N溝道增強型絕緣柵雙極晶體(ti) 管結構， N+區稱為(wei) 源區，附於(yu) 其上的電極稱為(wei) 源極（即發射極E）。N基極稱為(wei) 漏區。器件的控製區為(wei) 柵區，附於(yu) 其上的電極稱為(wei) 柵極（即門極G）。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩(liang) 極之間的P型區（包括P+和P-區）（溝道在該區域形成），稱為(wei) 亞(ya) 溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側(ce) 的P+區稱為(wei) 漏注入區（Drain injector），它是IGBT有的功能區，與(yu) 漏區和亞(ya) 溝道區一起形成PNP雙極晶體(ti) 管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調製，以降低器件的通態電壓。附於(yu) 漏注入區上的電極稱為(wei) 漏極（即集電極C）。

IGBT的開關(guan) 作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為(wei) NPN)晶體(ti) 管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guan) 斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，隻需控製輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成後，從(cong) P+基極注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導調製，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。

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