Cassification
聚酰亞(ya) 胺(Polyimide,PI)烘烤固化關(guan) 鍵技術點
PI具有最高的阻燃等級(UL-94),良好的電氣絕緣性能、機械性能、化學穩定性、耐老化性能、耐輻照性能、低介電損耗,且這些性能在很寬的溫度範圍(-269℃-400℃)內(nei) 不會(hui) 發生顯著變化,是非常優(you) 質高分子材料。
聚酰亞(ya) 胺薄膜是目前世界上性能好的薄膜類絕緣材料,在微電子領域應用包括:
● 再分配層的應力緩衝(chong) 塗層
● 促進成型化合物的粘附性
● 應力緩衝(chong) 塗層
● 在已完成的 IC 上麵的保護性鈍化層
● 集成電路中金屬層之間的低 K 分離器
● 芯片粘接
● 層間電介質
聚酰亞(ya) 胺通常以液態形式應用,然後熱固化成薄膜或層,以實現所需的特性。精確的溫度均勻性是至關(guan) 重要的,以避免聚酰亞(ya) 胺層出現裂縫和顏色變化。顏色的均勻性對裝配中使用的圖案識別係統很重要,在這個(ge) 過程中的低氧值有助於(yu) 獲得明亮的材料和良好的附著力。
三種類型的聚酰亞(ya) 胺:
● 非感光性聚酰亞(ya) 胺
● 光敏性,離子型聚酰亞(ya) 胺
● 光敏性,酯類聚酰亞(ya) 胺
非感光性聚酰亞(ya) 胺
非感光性聚酰亞(ya) 胺的成本較低,且易於(yu) 處理。在熱固化過程中產(chan) 生的副產(chan) 品是液體(ti) ,所以它們(men) 通常不會(hui) 在加工室壁上形成沉積物。為(wei) 了將聚酰亞(ya) 胺前體(ti) 轉化為(wei) 穩定的聚酰亞(ya) 胺薄膜,需要在高溫(約 250℃至 450℃)下延長烘烤時間,以實現的亞(ya) 胺化;它還可以驅除 N-甲基吡咯烷酮(NMP)鑄造溶劑,並使聚合物鏈定向以獲得最佳的電氣和機械性能。
光敏聚酰亞(ya) 胺
與(yu) 標準的非光敏聚酰亞(ya) 胺相比,光敏聚酰亞(ya) 胺具有簡化加工的優(you) 勢,因為(wei) 它不需要光刻膠。這就減少了加工步驟的數量。對於(yu) 某些類型的光敏前體(ti) ,光敏成分可能難以從(cong) 聚酰亞(ya) 胺薄膜中演變出來。殘留的光敏聚酰亞(ya) 胺前體(ti) 可能會(hui) 引起比標準聚酰亞(ya) 胺薄膜中的更大的內(nei) 部薄膜誘導應力。酯鍵類型比離子類型更穩定,並且有最長的保質期。酯類聚酰亞(ya) 胺對未暴露區域的溶解性也更好。適當的固化目標過程是:
● 完成亞(ya) 胺化過程。
● 優(you) 化薄膜粘附性能。
● 清除所有殘留的溶劑和無關(guan) 的氣體(ti) ,以及移除感光元件。
當溶劑和光敏成分均勻有效地從(cong) 薄膜中揮發出來時,酰亞(ya) 胺化過程得到更好的控製。如果胺化速度控製不當,在整個(ge) 晶圓上會(hui) 出現局部的機械應力變化,這可能會(hui) 影響薄膜對基材的附著力。此外,環境中的氧氣會(hui) 使聚酰亞(ya) 胺薄膜變暗。當在後續加工過程中使用多個(ge) 聚酰胺層時,這種薄膜的透明度是至關(guan) 重要的。對於(yu) 多層加工,加工順序的對準標記可能會(hui) 被低透明度的聚酰亞(ya) 胺薄膜層所遮蓋。
推薦烘箱:
1、高溫無氧烘箱,最高溫度可達到450℃,含氧量控製在100PPM以內(nei) ,滿足聚酰亞(ya) 胺高溫無氧烘烤的要求。
450度光刻膠固化烤箱
2、真空高溫烘箱
利用真空烘箱有利於(yu) ,在負壓環境下使溶劑有效地蒸發,從(cong) 而降低烘烤時間,同時也滿足無氧的苛刻條件。
芯片半導體(ti) 專(zhuan) 用真空烤箱
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