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產品分類
Cassification
更新時間：2023-03-28 
瀏覽次數：2410【服務能力】可靠性試驗部分測試項目介紹
可靠性試驗的目的
可靠性試驗的目標是通過模擬和加速半導體(ti) 元器件在整個(ge) 壽命周期 中遭遇的各種情況（器件應用壽命長短） 可靠性試驗目的：使試製階段的產(chan) 品達到預定的可靠性指標。對產(chan) 品的製作過程起監控作用。根據試驗製定出合理的工藝篩選條件。通過試驗可以對產(chan) 品進行可靠性鑒定或驗收。通過試驗可以研究器件的失效機理。
可靠性試驗的分類
溫度循環試驗(TCT)
目的：利用高低溫對膨脹和收縮的機械密封應力 作用下的非密封封裝固態器件的耐久性
檢測能力：溫度範圍：-75℃~250℃
覆蓋產(chan) 品：模塊、MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR， 等分立半導體(ti) 器件
執行標準：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義(yi) 等
高溫儲(chu) 存試驗(HTSL)
目的：評估產(chan) 品長時間暴露在高溫下的耐久性
檢測能力：溫度最高300℃
覆蓋產(chan) 品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導體(ti) 器件 執行標準：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義(yi) 等
高溫柵偏試驗(HTGB)
目的：評估器件此測試加速介質擊穿並檢查柵氧 化層質量。
檢測能力：溫度最高200℃，電壓最高2000V
覆蓋產(chan) 品：MOSFET、IGBT、等半導體(ti) 器件
執行標準：JEDEC，AEC或客戶自定義(yi) 等
高溫反偏試驗（HTRB)
目的：評估器件在最大額定反向直流電壓和結溫 下的持久能力
檢測能力：溫度最高200℃，電壓最高2000V
覆蓋產(chan) 品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導體(ti) 器件 執行標準：JEDEC，AEC或客戶自定義(yi) 等
熱疲勞試驗(TFAT)
目的：評估抵抗由間歇施加負載引起的結溫波動 的能力。
檢測能力：0～80.0V/0～60A
覆蓋產(chan) 品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR， Power module(IGBT/Diodes/SCR)等分立半導體(ti) 器件
執行標準：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義(yi) 等
Power module
檢測能力：0-500A
覆蓋產(chan) 品：Power module(IGBT/Diodes/SCR)等分立半導體(ti) 器件
高溫高濕反偏壓試驗(H3TRB)
目的：評估器件在高溫下最大額定直流電壓和濕 度的綜合影響下器件的能力。
檢測能力：溫度-45~150℃；濕度：0-99%RH,電壓最高300V
覆蓋產(chan) 品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR， Power module(IGBT/Diodes/SCR)等分立半導體(ti) 器件
執行標準：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義(yi) 等
高壓鍋試驗(PCT)
目的：主要適用於(yu) 產(chan) 品抗濕性評估及堅固性測試， 評估元器件在高溫和高壓條件下抵抗潮濕相關(guan) 失 效的能力
檢測能力：溫度121℃ 濕度100%
覆蓋產(chan) 品：MOSFET、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導 體(ti) 器件
執行標準：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義(yi) 等
加速抗濕性試驗(UHAST)
目的：這個(ge) 測試方法主要適用於(yu) 抗濕性評估和堅固性測試，並可能被用作無偏置高壓鍋試驗的替代品
檢測能力：溫度130℃ 濕度85%/溫度110℃ 濕度85% 覆蓋產(chan) 品：MOSFET、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導體(ti) 器件
執行標準：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義(yi) 等
高加速溫度濕度應力試驗(HAST)
目的：評估元器件在通電，高溫，高濕和高壓條件下抵抗潮濕相關(guan) 失效的能力
檢測能力：溫度130℃ 濕度85%/溫度110℃ 濕度85%
With bias
覆蓋產(chan) 品：MOSFET、DIODE、Transistor、SIC等分立半導體(ti) 器件
執行標準：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義(yi) 等
預處理（Pre-con)
目的：模似器件在包裝，運輸 ，貼片過程中影響 產(chan) 品的性能評估
檢測能力：室溫~400℃；加熱溫區：上10/下10
覆蓋產(chan) 品：所有SMD類型器件
執行標準：JEDEC，AEC或客戶自定義(yi) 等
濕氣敏感度等級評估（MSL)
實驗目的：評估產(chan) 品對濕氣的敏感度
評估那些由濕氣所誘發應力敏感的非密封固態表麵貼裝元器件的分類,以便對其進行正確的封裝, 儲(chu) 存和處理, 以防回流焊和維修時損傷(shang) 元器件。
低溫儲(chu) 存試驗(LTSL)
目的：低溫儲(chu) 存試驗具有代表性的被用來判斷溫 度和時間對儲(chu) 存環境下固態電子元器件的影響 （熱激活失效機製）
檢測能力：溫度低-75 ℃
覆蓋產(chan) 品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導體(ti) 器件 執行標準：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義(yi) 等
ESD
檢測能力：HBM最大電壓：8000V；MM最大電壓：800V
覆蓋產(chan) 品：MOSFET、IGBT、IC等產(chan) 品
執行標準：MIL，AEC等
raybet雷竞技网页版入口是一家高科技合資企業(ye) ,生產(chan) 銷售鹽霧箱、恒溫恒濕機、冷熱衝(chong) 擊機、振動試驗機、機械衝(chong) 擊機、跌落試驗機的環境試驗儀(yi) 器的公司，研發生產(chan) 銷售經營各類可靠性環境試驗設備。經驗豐(feng) 富，並得到許多國內(nei) 外廠商的信賴與(yu) 支持。
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